IPW60R099C6

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IPW60R099C6概述

MOS场效应管/IPW60R099C6 管装

CoolMOS™C6/C7 功率 MOSFET

### MOSFET ,Infineon

Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。


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IPW60R099C6中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 90 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 278 W

阈值电压 3.5 V

漏源极电压Vds 600 V

漏源击穿电压 600 V

连续漏极电流Ids 37.9A

上升时间 12 ns

输入电容Ciss 2660pF @100VVds

额定功率Max 278 W

下降时间 6 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 278W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 16.13 mm

宽度 5.21 mm

高度 21.1 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买IPW60R099C6
型号: IPW60R099C6
描述:MOS场效应管/IPW60R099C6 管装
替代型号IPW60R099C6
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