IHW30N90R参数规格_中文资料_数据手册PDF

IHW30N90R概述

逆导IGBT与单片体二极管 Reverse Conducting IGBT with monolithic body diode

IGBT Trench Field Stop 900V 60A 454W Through Hole PG-TO247-3

得捷:
IGBT 900V 60A 454W TO247-3

贸泽:
IGBT 晶体管 REVERSE CONDUCT IGBT 900V 30A

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 900V 60A 454000mW 3-Pin3+Tab TO-247 Tube

Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 900V 60A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube

Win Source:
IGBT 900V 60A 454W TO247-3

IHW30N90R中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 454 W

击穿电压集电极-发射极 900 V

额定功率Max 454 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 454 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 16.03 mm

宽度 5.16 mm

高度 21.1 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IHW30N90R

型号： IHW30N90R

描述：逆导IGBT与单片体二极管 Reverse Conducting IGBT with monolithic body diode

替代型号IHW30N90R