IHW30N120R2概述
逆导IGBT与单片体二极管 Reverse Conducting IGBT with monolithic body diode
IGBT NPT, Trench Field Stop 1200V 60A 390W Through Hole PG-TO247-3
得捷:
IGBT 1200V 60A 390W TO247-3
贸泽:
IGBT 晶体管 REVERSE CONDUCT IGBT 1200V 30A
Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 30A 3-Pin 3+Tab TO-247
罗切斯特:
Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 30A 3-Pin3+Tab TO-247
Win Source:
IGBT 1200V 60A 390W TO247-3
IHW30N120R2中文资料参数规格
在线购买IHW30N120R2
型号： IHW30N120R2
制造商：
Infineon
英飞凌
描述：逆导IGBT与单片体二极管 Reverse Conducting IGBT with monolithic body diode
替代型号IHW30N120R2
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IHW30N120R2 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IHW30N120R 英飞凌 | 完全替代 | IHW30N120R2和IHW30N120R的区别 |
STGW38IH130D 意法半导体 | 功能相似 | IHW30N120R2和STGW38IH130D的区别 |