IS61WV5128BLL-10BI-TR参数规格_中文资料_数据手册PDF

IS61WV5128BLL-10BI-TR概述

静态随机存取存储器 4M 512Kx8 10ns Async 静态随机存取存储器 3.3v

SRAM - Asynchronous Memory IC 4Mb 512K x 8 Parallel 10ns 36-TFBGA 6x8

得捷:
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36TFBGA

贸泽:
静态随机存取存储器 4M 512Kx8 10ns Async 静态随机存取存储器 3.3v

IS61WV5128BLL-10BI-TR中文资料参数规格

技术参数

存取时间 10 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min 40 ℃

电源电压 2.4V ~ 3.6V

电源电压Max 3.6 V

电源电压Min 2.4 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TFBGA-36

外形尺寸

封装 TFBGA-36

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准

数据手册

在线购买IS61WV5128BLL-10BI-TR

型号： IS61WV5128BLL-10BI-TR

制造商： Integrated Silicon SolutionISSI

描述：静态随机存取存储器 4M 512Kx8 10ns Async 静态随机存取存储器 3.3v