IS43LR32200B-6BLI

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IS43LR32200B-6BLI概述

动态随机存取存储器 64M 2Mx32 166MHz 1.8v Mobile DDR

SDRAM - Mobile LPDDR Memory IC 64Mb 2M x 32 Parallel 166 MHz 5.5 ns 90-TFBGA 8x13


得捷:
IC DRAM 64MBIT PARALLEL 90TFBGA


贸泽:
动态随机存取存储器 64M 2Mx32 166MHz 1.8v Mobile DDR


Verical:
DRAM Chip DDR SDRAM 64Mbit 2Mx32 1.8V 90-Pin TFBGA


IS43LR32200B-6BLI中文资料参数规格
技术参数

供电电流 95 mA

存取时间 6 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.95V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 90

封装 BGA-90

外形尺寸

封装 BGA-90

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买IS43LR32200B-6BLI
型号: IS43LR32200B-6BLI
制造商: Integrated Silicon SolutionISSI
描述:动态随机存取存储器 64M 2Mx32 166MHz 1.8v Mobile DDR
替代型号IS43LR32200B-6BLI
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

IS43LR32200B-6BLI

Integrated Silicon SolutionISSI

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IS43LR32200C-6BLI

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