4Mb,High-Speed/Low Power,Async,256K X 16,10ns,3.3V,44Pin TSOP II
SRAM - 异步 存储器 IC 4Mb（256K x 16） 并联 10 ns 44-TSOP II
得捷:
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II
贸泽:
SRAM 4Mb 256Kx16 10ns Async SRAM 3.3v
艾睿:
SRAM Chip Async Single 3.3V 4M-bit 256K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II
安富利:
SRAM Chip Async Single 3.3V 4M-Bit 256K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II
Chip1Stop:
SRAM Chip Async Single 3.3V 4M-Bit 256K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II
Verical:
SRAM Chip Async Single 3.3V 4M-bit 256K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II
电源电压DC 3.30 V, 3.60 V max
位数 16
存取时间 10 ns
内存容量 4000000 B
存取时间Max 10 ns
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
电源电压 3.135V ~ 3.6V
电源电压Max 3.6 V
电源电压Min 3.135 V
安装方式 Surface Mount
引脚数 44
封装 TSOP-44
封装 TSOP-44
工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tray
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IS61LV25616AL-10TI Integrated Silicon SolutionISSI | 当前型号 | 当前型号 |
IS61LV25616AL-10TLI Integrated Silicon SolutionISSI | 完全替代 | IS61LV25616AL-10TI和IS61LV25616AL-10TLI的区别 |
IS61LV25616AL-10TLI-TR Integrated Silicon SolutionISSI | 完全替代 | IS61LV25616AL-10TI和IS61LV25616AL-10TLI-TR的区别 |
IS61LV25616AL-10TL Integrated Silicon SolutionISSI | 类似代替 | IS61LV25616AL-10TI和IS61LV25616AL-10TL的区别 |