IS62WV25616BLL-55BI

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IS62WV25616BLL-55BI概述

静态随机存取存储器 4Mb 256Kx16 55ns Async 静态随机存取存储器

SRAM - 异步 存储器 IC 4Mb(256K x 16) 并联 55 ns 48-迷你型BGA(6x8)


得捷:
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48MINIBGA


贸泽:
静态随机存取存储器 4Mb 256Kx16 55ns Async 静态随机存取存储器


艾睿:
SRAM Chip Async Single 3.3V 4M-bit 256K x 16 55ns 48-Pin Mini-BGA


安富利:
SRAM Chip Async Single 3.3V 4M-Bit 256K x 16 55ns 48-Pin Mini-BGA


Verical:
SRAM Chip Async Single 3.3V 4M-bit 256K x 16 55ns 48-Pin Mini-BGA


Win Source:
256K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC SRAM | IC SRAM 4M PARALLEL 48MINIBGA


IS62WV25616BLL-55BI中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 3.30 V, 3.60 V max

位数 16

存取时间 55 ns

内存容量 4000000 B

存取时间Max 55 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 2.5V ~ 3.6V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 48

封装 BGA-48

外形尺寸

封装 BGA-48

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买IS62WV25616BLL-55BI
型号: IS62WV25616BLL-55BI
制造商: Integrated Silicon SolutionISSI
描述:静态随机存取存储器 4Mb 256Kx16 55ns Async 静态随机存取存储器
替代型号IS62WV25616BLL-55BI
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IS62WV25616BLL-55BI和IS62WV25616BLL-55BLI的区别

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