IS46DR16160B-25DBLA2参数规格_中文资料_数据手册PDF

IS46DR16160B-25DBLA2概述

动态随机存取存储器 256M, 1.8V, 333Mhz 16Mx16 DDR2 S动态随机存取存储器

SDRAM - DDR2 存储器 IC 256Mb（16M x 16）并联 400 MHz 400 ps 84-TWBGA（8x12.5）

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IS46DR16160B 25DBLA2

得捷:
IC DRAM 256MBIT PARALLEL 84TWBGA

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动态随机存取存储器 256M, 1.8V, 333Mhz 16Mx16 DDR2 S动态随机存取存储器

IS46DR16160B-25DBLA2中文资料参数规格

技术参数

存取时间 400 ps

工作温度Max 105 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TFBGA-84

外形尺寸

封装 TFBGA-84

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 105℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

数据手册

在线购买IS46DR16160B-25DBLA2

型号： IS46DR16160B-25DBLA2

制造商： Integrated Silicon SolutionISSI

描述：动态随机存取存储器 256M, 1.8V, 333Mhz 16Mx16 DDR2 S动态随机存取存储器