Standard SRAM, 256KX16, 10ns, CMOS, PBGA48, 8 X 10MM, MINI, BGA-48
SRAM - 异步 存储器 IC 4Mb（256K x 16） 并联 10 ns 48-迷你型BGA（8x10）
得捷:
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48TFBGA
贸泽:
SRAM 4Mb 256Kx16 10ns Async SRAM 3.3v
艾睿:
SRAM Chip Async Single 3.3V 4M-bit 256K x 16 10ns 48-Pin Mini-BGA
Verical:
SRAM Chip Async Single 3.3V 4M-bit 256K x 16 10ns 48-Pin Mini-BGA
Win Source:
256K x 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY | IC SRAM 4M PARALLEL 48TFBGA
电源电压DC 3.30 V, 3.60 V max
位数 16
存取时间 10 ns
内存容量 4000000 B
存取时间Max 10 ns
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min 40 ℃
电源电压 3.135V ~ 3.6V
电源电压Max 3.6 V
电源电压Min 3.135 V
安装方式 Surface Mount
引脚数 48
封装 TFBGA-48
封装 TFBGA-48
工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tray
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IS61LV25616AL-10BI Integrated Silicon SolutionISSI | 当前型号 | 当前型号 |
IS61LV25616AL-10BLI Integrated Silicon SolutionISSI | 类似代替 | IS61LV25616AL-10BI和IS61LV25616AL-10BLI的区别 |
IS61LV25616AL-10B Integrated Silicon SolutionISSI | 功能相似 | IS61LV25616AL-10BI和IS61LV25616AL-10B的区别 |