IS42RM32800E-75BLI-TR参数规格_中文资料_数据手册PDF

IS42RM32800E-75BLI-TR概述

动态随机存取存储器 256M, 2.5V, Mobile S动态随机存取存储器,8Mx32,133Mhz

SDRAM - Mobile Memory IC 256Mb 8M x 32 Parallel 133MHz 6ns 90-TFBGA 8x13

得捷:
IC DRAM 256MBIT PAR 90TFBGA

贸泽:
动态随机存取存储器 256M, 2.5V, Mobile S动态随机存取存储器,8Mx32,133Mhz

IS42RM32800E-75BLI-TR中文资料参数规格

技术参数

存取时间 6 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 2.3V ~ 3V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TFBGA-90

外形尺寸

封装 TFBGA-90

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Not For New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

数据手册

在线购买IS42RM32800E-75BLI-TR

型号： IS42RM32800E-75BLI-TR

制造商： Integrated Silicon SolutionISSI

描述：动态随机存取存储器 256M, 2.5V, Mobile S动态随机存取存储器,8Mx32,133Mhz