IS46DR16160B-25DBLA1

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IS46DR16160B-25DBLA1概述

动态随机存取存储器 256M, 1.8V, 333Mhz 16Mx16 DDR2 S动态随机存取存储器

SDRAM - DDR2 存储器 IC 256Mb(16M x 16) 并联 400 MHz 400 ps 84-TWBGA(8x12.5)


得捷:
IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA


立创商城:
IS46DR16160B 25DBLA1


贸泽:
动态随机存取存储器 256M, 1.8V, 333Mhz 16Mx16 DDR2 S动态随机存取存储器


艾睿:
Automotive Tc: -40 to +95C, 256M, 1.8V, DDR2, 16Mx16, 333Mhz @ CL5, 84 ball BGA 8mmx12.5mm, RoHS


IS46DR16160B-25DBLA1中文资料参数规格
技术参数

存取时间 400 ps

工作温度Max 95 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TFBGA-84

外形尺寸

封装 TFBGA-84

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买IS46DR16160B-25DBLA1
型号: IS46DR16160B-25DBLA1
制造商: Integrated Silicon SolutionISSI
描述:动态随机存取存储器 256M, 1.8V, 333Mhz 16Mx16 DDR2 S动态随机存取存储器

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