IS61LPS25636A-200TQI-TR参数规格_中文资料_数据手册PDF

IS61LPS25636A-200TQI-TR概述

静态随机存取存储器 8Mb 256Kx36 200Mhz Sync 静态随机存取存储器 3.3v

SRAM - 同步，SDR 存储器 IC 9Mb（256K x 36）并联 100-TQFP（14x20）

得捷:
IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP

贸泽:
静态随机存取存储器 8Mb 256Kx36 200Mhz Sync 静态随机存取存储器 3.3v

IS61LPS25636A-200TQI-TR中文资料参数规格

技术参数

电源电压DC 3.30 V, 3.47 V max

时钟频率 200MHz max

存取时间 3.1 ns

内存容量 9000000 B

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 3.135V ~ 3.465V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 100

封装 TQFP-100

外形尺寸

长度 20 mm

宽度 14 mm

封装 TQFP-100

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape

符合标准

RoHS标准

含铅标准

数据手册

在线购买IS61LPS25636A-200TQI-TR

型号： IS61LPS25636A-200TQI-TR

制造商： Integrated Silicon SolutionISSI

描述：静态随机存取存储器 8Mb 256Kx36 200Mhz Sync 静态随机存取存储器 3.3v

替代型号IS61LPS25636A-200TQI-TR

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
IS61LPS25636A-200TQI-TR Integrated Silicon SolutionISSI	当前型号	当前型号
IS61LPS25636A-200TQI Integrated Silicon SolutionISSI	完全替代	IS61LPS25636A-200TQI-TR和IS61LPS25636A-200TQI的区别
IS61LPS25636A-200TQ2I Integrated Silicon SolutionISSI	完全替代	IS61LPS25636A-200TQI-TR和IS61LPS25636A-200TQ2I的区别
IS61LPS25636A-200TQLI-TR Integrated Silicon SolutionISSI	完全替代	IS61LPS25636A-200TQI-TR和IS61LPS25636A-200TQLI-TR的区别