IS64WV25616EDBLL-10BA3-TR

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IS64WV25616EDBLL-10BA3-TR概述

静态随机存取存储器 4Mb 3.6v 10ns 512Kx16LP Async 静态随机存取存储器

SRAM - 异步 存储器 IC 4Mb(256K x 16) 并联 10 ns 48-TFBGA(6x8)


得捷:
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48TFBGA


贸泽:
静态随机存取存储器 4Mb 3.6v 10ns 512Kx16LP Async 静态随机存取存储器


IS64WV25616EDBLL-10BA3-TR中文资料参数规格
技术参数

存取时间 10 ns

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 2.4V ~ 3.6V

封装参数

封装 TFBGA-48

外形尺寸

封装 TFBGA-48

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 125℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准

数据手册

在线购买IS64WV25616EDBLL-10BA3-TR
型号: IS64WV25616EDBLL-10BA3-TR
制造商: Integrated Silicon SolutionISSI
描述:静态随机存取存储器 4Mb 3.6v 10ns 512Kx16LP Async 静态随机存取存储器
替代型号IS64WV25616EDBLL-10BA3-TR
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Integrated Silicon SolutionISSI

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类似代替

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