静态随机存取存储器 4M 128Kx36 200MHz Sync 静态随机存取存储器 3.3v
SRAM - Synchronous, SDR Memory IC 4.5Mb 128K x 36 Parallel 200MHz 3.1ns 119-PBGA 14x22
得捷:
IC SRAM 4.5MBIT PAR 119PBGA
贸泽:
静态随机存取存储器 4M 128Kx36 200MHz Sync 静态随机存取存储器 3.3v
艾睿:
SRAM Chip Sync Quad 3.3V 4.5M-bit 128K x 36 3.1ns 119-Pin BGA
Verical:
SRAM Chip Sync Quad 3.3V 4.5M-bit 128K x 36 3.1ns 119-Pin BGA
电源电压DC 3.30 V, 3.47 V max
时钟频率 200MHz max
位数 36
存取时间 3.1 ns
存取时间Max 3.1 ns
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
电源电压 3.135V ~ 3.465V
安装方式 Surface Mount
引脚数 119
封装 BGA-119
封装 BGA-119
工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tray
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IS61LPS12836A-200B2LI Integrated Silicon SolutionISSI | 当前型号 | 当前型号 |
IS61LPS12836A-200B2I Integrated Silicon SolutionISSI | 完全替代 | IS61LPS12836A-200B2LI和IS61LPS12836A-200B2I的区别 |