IS61NVF51236B-6.5B3LI

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IS61NVF51236B-6.5B3LI概述

SRAM 18Mb,"No-Wait"/Flowthrough,Sync,512K x 36,6.5ns,2.5V - I/O,165 Ball BGA, RoHS

SRAM - Synchronous, SDR Memory IC 18Mb 512K x 36 Parallel 133MHz 6.5ns 165-TFBGA 13x15


立创商城:
IS61NVF51236B 6.5B3LI


得捷:
IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165TFBGA


贸泽:
SRAM 18Mb,"No-Wait"/Flowthrough,Sync,512K x 36,6.5ns,2.5v - I/O,165 Ball BGA, RoHS


艾睿:
512K X36 And 1024K X18 18MB, Flow Through No Wait State Bus Synchronous SRAM


Verical:
IS61NVF51236B-6.5B3LI


IS61NVF51236B-6.5B3LI中文资料参数规格
技术参数

存取时间 6.5 ns

电源电压 2.375V ~ 2.625V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 165

封装 TBGA-165

外形尺寸

封装 TBGA-165

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买IS61NVF51236B-6.5B3LI
型号: IS61NVF51236B-6.5B3LI
制造商: Integrated Silicon SolutionISSI
描述:SRAM 18Mb,"No-Wait"/Flowthrough,Sync,512K x 36,6.5ns,2.5V - I/O,165 Ball BGA, RoHS

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