IS43DR86400C-3DBI参数规格_中文资料_数据手册PDF

IS43DR86400C-3DBI概述

动态随机存取存储器 512M, 1.8V, 333Mhz DDR2

SDRAM - DDR2 存储器 IC 512Mb（64M x 8）并联 60-TWBGA（8x10.5）

得捷:
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60TWBGA

贸泽:
动态随机存取存储器 512M, 1.8V, 333Mhz DDR2

IS43DR86400C-3DBI中文资料参数规格

技术参数

存取时间 3 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TFBGA-60

外形尺寸

封装 TFBGA-60

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准

含铅标准

数据手册

在线购买IS43DR86400C-3DBI

型号： IS43DR86400C-3DBI

制造商： Integrated Silicon SolutionISSI

描述：动态随机存取存储器 512M, 1.8V, 333Mhz DDR2