IS61LV12824-10B-TR

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IS61LV12824-10B-TR概述

静态随机存取存储器 3Mb 128Kx24 10ns Async 静态随机存取存储器 3.3v

SRAM - 异步 存储器 IC 3Mb(128K x 24) 并联 10 ns 119-PBGA(14x22)


得捷:
IC SRAM 3MBIT PARALLEL 119PBGA


贸泽:
静态随机存取存储器 3Mb 128Kx24 10ns Async 静态随机存取存储器 3.3v


Win Source:
IC SRAM 3MBIT 10NS 119BGA


IS61LV12824-10B-TR中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 3.30 V, 3.60 V max

存取时间 10 ns

内存容量 3000000 B

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 3.135V ~ 3.6V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 PBGA-119

外形尺寸

封装 PBGA-119

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准

数据手册

在线购买IS61LV12824-10B-TR
型号: IS61LV12824-10B-TR
制造商: Integrated Silicon SolutionISSI
描述:静态随机存取存储器 3Mb 128Kx24 10ns Async 静态随机存取存储器 3.3v
替代型号IS61LV12824-10B-TR
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IS61LV12824-10B-TR和IS61LV12824-10BL-TR的区别

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