IS61LPD51236A-200B3

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IS61LPD51236A-200B3概述

Cache SRAM, 512KX36, 3.1ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15MM, 1MM PITCH, PLASTIC, BGA-165

* Internal self-timed write cycle * Individual Byte Write Control and Global Write * Clock controlled, registered address, data and control * Burst sequence control using MODE input * Three chip enable option for simple depth expansion and address pipelining * Common data inputs and data outputs * Auto Power-down during deselect * Double cycle deselect * Snooze MODE for reduced-power standby * JTAG Boundary Scan for PBGA package * Power Supply: Vdd 3.3V + 5%, Vddq 3.3V/2.5V + 5% * JEDEC 100-Pin TQFP package * Lead-free available

IS61LPD51236A-200B3中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 3.30 V, 3.47 V max

时钟频率 200MHz max

存取时间 3.1 ns

内存容量 18000000 B

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 3.135V ~ 3.465V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 PBGA-165

外形尺寸

封装 PBGA-165

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准

数据手册

IS61LPD51236A-200B3引脚图与封装图
IS61LPD51236A-200B3引脚图
IS61LPD51236A-200B3封装图
IS61LPD51236A-200B3封装焊盘图
在线购买IS61LPD51236A-200B3
型号: IS61LPD51236A-200B3
制造商: Integrated Silicon SolutionISSI
描述:Cache SRAM, 512KX36, 3.1ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15MM, 1MM PITCH, PLASTIC, BGA-165
替代型号IS61LPD51236A-200B3
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IS61LPD51236A-200B3

Integrated Silicon SolutionISSI

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功能相似

IS61LPD51236A-200B3和IS61LPD51236A-200B3I的区别

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