IS42RM32800E-6BLI

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IS42RM32800E-6BLI概述

DRAM Chip Mobile SDRAM 256Mbit 8Mx32 2.5V 90Pin TFBGA

SDRAM - Mobile Memory IC 256Mb 8M x 32 Parallel 166MHz 5.5ns 90-TFBGA 8x13


得捷:
IC DRAM 256MBIT PAR 90TFBGA


贸泽:
DRAM 256M 2.5V 166Mhz 8Mx32 Mobile SDR


Verical:
DRAM Chip Mobile SDRAM 256Mbit 8Mx32 2.5V 90-Pin TFBGA


IS42RM32800E-6BLI中文资料参数规格
技术参数

供电电流 95 mA

存取时间 5.5 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min 40 ℃

电源电压 2.3V ~ 3V

电源电压Max 3 V

电源电压Min 2.3 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 90

封装 TFBGA-90

外形尺寸

封装 TFBGA-90

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Not For New Designs

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

IS42RM32800E-6BLI引脚图与封装图
IS42RM32800E-6BLI引脚图
IS42RM32800E-6BLI封装图
IS42RM32800E-6BLI封装焊盘图
在线购买IS42RM32800E-6BLI
型号: IS42RM32800E-6BLI
制造商: Integrated Silicon SolutionISSI
描述:DRAM Chip Mobile SDRAM 256Mbit 8Mx32 2.5V 90Pin TFBGA

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