IS61DDB42M18-250M3参数规格_中文资料_数据手册PDF

IS61DDB42M18-250M3概述

静态随机存取存储器 36Mb 2Mbx18 DDR II Sync 静态随机存取存储器

SRAM - Synchronous, DDR II Memory IC 36Mb 2M x 18 Parallel 250MHz 5.85ns 165-LFBGA 15x17

得捷:
IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165LFBGA

贸泽:
静态随机存取存储器 36Mb 2Mbx18 DDR II Sync 静态随机存取存储器

艾睿:
SRAM Chip Sync Single 1.8V 36M-bit 2M x 18 0.35ns 165-Pin FBGA

IS61DDB42M18-250M3中文资料参数规格

技术参数

电源电压DC 1.80 V, 1.89 V max

时钟频率 250MHz max

位数 18

存取时间 4 ns

内存容量 36000000 B

存取时间Max 0.35 ns

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 1.71V ~ 1.89V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 165

封装 BGA-165

外形尺寸

封装 BGA-165

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准

数据手册

在线购买IS61DDB42M18-250M3

型号： IS61DDB42M18-250M3

制造商： Integrated Silicon SolutionISSI

描述：静态随机存取存储器 36Mb 2Mbx18 DDR II Sync 静态随机存取存储器