IS43DR82560B-3DBLI

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IS43DR82560B-3DBLI概述

Integrated Silicon Solution Inc 2G, 1.8V, DDR2, 256Mx8, 333MHz @ CL5, 60 ball BGA 10.5mmx13.5mm RoHS, IT

SDRAM - DDR2 存储器 IC 2Gb(256M x 8) 并联 333 MHz 450 ps 60-TWBGA(10.5x13)


得捷:
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 60TWBGA


贸泽:
Integrated Silicon Solution Inc 2G, 1.8V, DDR2, 256Mx8, 333Mhz @ CL5, 60 ball BGA 10.5mmx13.5mm RoHS, IT


艾睿:
DRAM Chip DDR2 SDRAM 2Gbit 256Mx8 1.8V 60-Pin TW-BGA


IS43DR82560B-3DBLI中文资料参数规格
技术参数

位数 8

存取时间 450 ps

存取时间Max 0.45 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 60

封装 TFBGA-60

外形尺寸

封装 TFBGA-60

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买IS43DR82560B-3DBLI
型号: IS43DR82560B-3DBLI
制造商: Integrated Silicon SolutionISSI
描述:Integrated Silicon Solution Inc 2G, 1.8V, DDR2, 256Mx8, 333MHz @ CL5, 60 ball BGA 10.5mmx13.5mm RoHS, IT
替代型号IS43DR82560B-3DBLI
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Integrated Silicon SolutionISSI

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IS43DR82560B-3DBLI和IS43DR82560C-3DBLI的区别

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