IS42S32160B-6BLI

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IS42S32160B-6BLI概述

动态随机存取存储器 512M 16Mx32 166MHz SDR S动态随机存取存储器, 3.3V

SDRAM Memory IC 512Mb 16M x 32 Parallel 166MHz 5.4ns 90-WBGA 11x13


得捷:
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90WBGA


贸泽:
动态随机存取存储器 512M 16Mx32 166MHz SDR S动态随机存取存储器, 3.3V


艾睿:
DRAM Chip SDRAM 512Mbit 16Mx32 3.3V 90-Pin WBGA


IS42S32160B-6BLI中文资料参数规格
技术参数

位数 32

存取时间 6 ns

存取时间Max 5.4ns, 6.5ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 90

封装 BGA-90

外形尺寸

封装 BGA-90

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买IS42S32160B-6BLI
型号: IS42S32160B-6BLI
制造商: Integrated Silicon SolutionISSI
描述:动态随机存取存储器 512M 16Mx32 166MHz SDR S动态随机存取存储器, 3.3V
替代型号IS42S32160B-6BLI
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Integrated Silicon SolutionISSI

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