IS61DDB21M36-250M3

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IS61DDB21M36-250M3概述

DDR SRAM, 1MX36, 0.35ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17MM, 1MM PITCH, FBGA-165

SRAM - Synchronous, DDR II Memory IC 36Mb 1M x 36 Parallel 250MHz 165-LFBGA 13x15


得捷:
IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165LFBGA


Win Source:
IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165LFBGA / SRAM - Synchronous, DDR II Memory IC 36Mb 1M x 36 Parallel 250 MHz 165-LFBGA 13x15


IS61DDB21M36-250M3中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 1.80 V, 1.89 V max

时钟频率 250MHz max

存取时间 4.00 ns

内存容量 36000000 B

电源电压 1.71V ~ 1.89V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 LBGA-165

外形尺寸

封装 LBGA-165

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准

数据手册

在线购买IS61DDB21M36-250M3
型号: IS61DDB21M36-250M3
制造商: Integrated Silicon SolutionISSI
描述:DDR SRAM, 1MX36, 0.35ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17MM, 1MM PITCH, FBGA-165

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