IS42S32160B-7BLI-TR参数规格_中文资料_数据手册PDF

IS42S32160B-7BLI-TR概述

512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 143MHz, 90 Ball BGA 11mmx13mm RoHS, IT, T&R

SDRAM Memory IC Parallel 143MHz 5.4ns 90-LFBGA 13x11

得捷:
IC DRAM 512MBIT PAR 90LFBGA

贸泽:
DRAM 512M 16Mx32 143MHz SDRAM, 3.3v

艾睿:
DRAM Chip SDRAM 512Mbit 16Mx32 3.3V 90-Pin WBGA T/R

IS42S32160B-7BLI-TR中文资料参数规格

技术参数

位数 32

存取时间 7 ns

存取时间Max 5.4ns, 6.5ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min 40 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V

电源电压Max 3.6 V

电源电压Min 3 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 90

封装 BGA-90

外形尺寸

长度 13 mm

宽度 11 mm

高度 1 mm

封装 BGA-90

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

数据手册

在线购买IS42S32160B-7BLI-TR

型号： IS42S32160B-7BLI-TR

制造商： Integrated Silicon SolutionISSI

描述：512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 143MHz, 90 Ball BGA 11mmx13mm RoHS, IT, T&R

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替代型号IS42S32160B-7BLI-TR

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IS42S32160B-7BLI-TR Integrated Silicon SolutionISSI	当前型号	当前型号
IS42S32160F-7BLI-TR Integrated Silicon SolutionISSI	功能相似	IS42S32160B-7BLI-TR和IS42S32160F-7BLI-TR的区别

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IS42S32160B-7BLI-TR

Integrated Silicon SolutionISSI

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