IXST30N60B2D1

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IXST30N60B2D1概述

Trans IGBT Chip N-CH 600V 48A 3Pin2+Tab TO-268

Trans IGBT Chip N-CH 600V 48A 3-Pin2+Tab TO-268


得捷:
IGBT 600V 48A 250W TO268


贸泽:
IGBT Transistors 30 Amps 600V 2.5 Rds


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 48A 3-Pin2+Tab TO-268


Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 48A 3-Pin2+Tab TO-268


Online Components:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 48A 3-Pin2+Tab TO-268


IXST30N60B2D1中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 600 V

额定电流 48.0 A

耗散功率 250 W

上升时间 30.0 ns

击穿电压集电极-发射极 600 V

反向恢复时间 30 ns

额定功率Max 250 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-268-3

外形尺寸

长度 16.05 mm

宽度 14 mm

高度 5.1 mm

封装 TO-268-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXST30N60B2D1
型号: IXST30N60B2D1
制造商: IXYS Semiconductor
描述:Trans IGBT Chip N-CH 600V 48A 3Pin2+Tab TO-268
替代型号IXST30N60B2D1
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

IXST30N60B2D1

IXYS Semiconductor

当前型号

当前型号

IXXH30N60B3D1

IXYS Semiconductor

功能相似

IXST30N60B2D1和IXXH30N60B3D1的区别

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