Trans IGBT Chip N-CH 600V 55A 200000mW 3Pin3+Tab TO-247AD
IGBT - 通孔 TO-247AD（IXSH）
得捷:
IGBT 600V 55A 200W TO247AD
艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 55A 200000mW 3-Pin3+Tab TO-247AD
Win Source:
IGBT 600V 55A 200W TO247AD
额定电压DC 600 V
额定电流 55.0 A
耗散功率 200000 mW
上升时间 30.0 ns
击穿电压集电极-发射极 600 V
反向恢复时间 50 ns
额定功率Max 200 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 200000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
高度 21.46 mm
封装 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IXSH30N60CD1 IXYS Semiconductor | 当前型号 | 当前型号 |
IRG4PC50UD-EPBF 英飞凌 | 功能相似 | IXSH30N60CD1和IRG4PC50UD-EPBF的区别 |