IXGH32N60BU1参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXGH32N60BU1概述

IGBT 晶体管 60 Amps 600V 2.3 Rds

IGBT - 通孔 TO-247AD（IXGH）

得捷:
IGBT 600V 60A 200W TO247AD

贸泽:
IGBT 晶体管 60 Amps 600V 2.3 Rds

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 200000mW 3-Pin3+Tab TO-247AD

Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 3-Pin3+Tab TO-247AD

Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 3-Pin3+Tab TO-247AD

Win Source:
IGBT 600V 60A 200W TO247AD

IXGH32N60BU1中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 600 V

额定电流 60.0 A

耗散功率 200000 mW

上升时间 20.0 ns

击穿电压集电极-发射极 600 V

反向恢复时间 50 ns

额定功率Max 200 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 200000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 16.26 mm

宽度 5.3 mm

高度 21.46 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXGH32N60BU1

型号： IXGH32N60BU1

制造商： IXYS Semiconductor

描述：IGBT 晶体管 60 Amps 600V 2.3 Rds

替代型号IXGH32N60BU1