IXGX120N60B参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXGX120N60B概述

IGBT 600V 200A 660W TO247

IGBT PT 600V 200A 660W Through Hole PLUS247™-3

得捷:
IGBT 600V 200A 660W TO247

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 200A 3-Pin3+Tab PLUS 247

Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 200A 3-Pin3+Tab PLUS 247

IXGX120N60B中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 600 V

额定电流 200 A

上升时间 45.0 ns

击穿电压集电极-发射极 600 V

额定功率Max 660 W

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-247-3

外形尺寸

宽度 5.21 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXGX120N60B

型号： IXGX120N60B

制造商： IXYS Semiconductor

描述：IGBT 600V 200A 660W TO247

替代型号IXGX120N60B