IXGK50N60B参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXGK50N60B概述

Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 3Pin3+Tab TO-264AA

IGBT 600V 75A 300W Through Hole TO-264 IXGK

得捷:
IGBT 600V 75A 300W TO264

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 3-Pin3+Tab TO-264AA

IXGK50N60B中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 600 V

额定电流 75.0 A

上升时间 50.0 ns

击穿电压集电极-发射极 600 V

额定功率Max 300 W

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-264-3

外形尺寸

封装 TO-264-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXGK50N60B

型号： IXGK50N60B

制造商： IXYS Semiconductor

描述：Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 3Pin3+Tab TO-264AA