IXGA16N60B2D1参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXGA16N60B2D1概述

IGBT 600V 40A 150W TO263

IGBT PT 表面贴装型 TO-263（IXGA）

得捷:
IGBT 600V 40A 150W TO263

贸泽:
IGBT Transistors 16 Amps 600V 2.3V Rds

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 3-Pin2+Tab D2PAK

IXGA16N60B2D1中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 600 V

反向恢复时间 30 ns

额定功率Max 150 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 9.9 mm

宽度 9.2 mm

高度 4.5 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXGA16N60B2D1

型号： IXGA16N60B2D1

制造商： IXYS Semiconductor

描述：IGBT 600V 40A 150W TO263