IXGH60N60参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXGH60N60概述

Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 300000mW 3Pin3+Tab TO-247AD

IGBT PT 600V 75A 300W Through Hole TO-247AD IXGH

得捷:
IGBT 600V 75A 300W TO247AD

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 300000mW 3-Pin3+Tab TO-247AD

TME:
Transistor: IGBT; 600V; 75A; 300W; TO247AD

Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 3-Pin3+Tab TO-247AD

IXGH60N60中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 600 V

额定电流 75.0 A

额定功率 300 W

耗散功率 300000 mW

上升时间 25.0 ns

击穿电压集电极-发射极 600 V

额定功率Max 300 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

高度 21.46 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXGH60N60

型号： IXGH60N60

制造商： IXYS Semiconductor

描述：Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 300000mW 3Pin3+Tab TO-247AD

替代型号IXGH60N60