IXGH25N100A参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXGH25N100A概述

Trans IGBT Chip N-CH 1000V 50A 200000mW 3Pin3+Tab TO-247AD

IGBT - 通孔 TO-247AD（IXGH）

得捷:
IGBT 1000V 50A 200W TO247AD

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 1KV 50A 3-Pin3+Tab TO-247AD

Win Source:
IGBT 1000V 50A 200W TO247AD

IXGH25N100A中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 1.00 kV

额定电流 50.0 A

耗散功率 200000 mW

上升时间 200 ns

击穿电压集电极-发射极 1000 V

额定功率Max 200 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 200000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买IXGH25N100A

型号： IXGH25N100A

制造商： IXYS Semiconductor

描述：Trans IGBT Chip N-CH 1000V 50A 200000mW 3Pin3+Tab TO-247AD

替代型号IXGH25N100A