IXGH17N100U1参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXGH17N100U1概述

Trans IGBT Chip N-CH 1kV 34A 3Pin3+Tab TO-247AD

IGBT - 1000 V 34 A 150 W 通孔 TO-247AD

得捷:
IGBT 1000V 34A 150W TO247AD

Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 1KV 34A 3-Pin3+Tab TO-247AD

Win Source:
IGBT 1000V 34A 150W TO247AD

IXGH17N100U1中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 1.00 kV

额定电流 34.0 A

上升时间 200 ns

击穿电压集电极-发射极 1000 V

反向恢复时间 50 ns

额定功率Max 150 W

耗散功率Max 150 W

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXGH17N100U1

型号： IXGH17N100U1

制造商： IXYS Semiconductor

描述：Trans IGBT Chip N-CH 1kV 34A 3Pin3+Tab TO-247AD