IXSP10N60B2D1参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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IXSP10N60B2D1概述

IGBT 600V 20A 100W TO220AB

IGBT PT 600V 20A 100W Through Hole TO-220AB

得捷:
IGBT 600V 20A 100W TO220AB

Win Source:
High Speed IGBT with Diode

IXSP10N60B2D1中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 600 V

额定电流 20.0 A

上升时间 30.0 ns

击穿电压集电极-发射极 600 V

反向恢复时间 25 ns

额定功率Max 100 W

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXSP10N60B2D1

型号： IXSP10N60B2D1

制造商： IXYS Semiconductor

描述：IGBT 600V 20A 100W TO220AB

替代型号IXSP10N60B2D1

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

IXSP10N60B2D1

IXYS Semiconductor

当前型号

当前型号

IXXH30N60B3D1

IXYS Semiconductor

功能相似

IXSP10N60B2D1和IXXH30N60B3D1的区别