IXSA10N60B2D1参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXSA10N60B2D1概述

Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 3Pin2+Tab TO-263

Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 3-Pin2+Tab TO-263

得捷:
IGBT 600V 20A 100W TO263

贸泽:
IGBT Transistors 10 Amps 600V 2.5 Rds

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 3-Pin2+Tab D2PAK

Online Components:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 3-Pin2+Tab TO-263

IXSA10N60B2D1中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 600 V

额定电流 20.0 A

耗散功率 100 W

上升时间 30.0 ns

击穿电压集电极-发射极 600 V

反向恢复时间 25 ns

额定功率Max 100 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 9.9 mm

宽度 9.2 mm

高度 4.5 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXSA10N60B2D1

型号： IXSA10N60B2D1

制造商： IXYS Semiconductor

描述：Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 3Pin2+Tab TO-263

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替代型号IXSA10N60B2D1

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