IXDT30N120

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IXDT30N120概述

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 60A 300000mW 3Pin3+Tab TO-247AD

Short Circuit SOA Capability Square RBSOA

**V**CES **= 1200 V**

**I**C25 **= 60 A**

**V**CEsat typ **= 2.4 V**

Features

● NPT IGBT technology

● low saturation voltage

● low switching losses

● square RBSOA, no latch up

● high short circuit capability

● positive temperature coefficient for easy paralleling

● MOS input, voltage controlled

● optional ultra fast diode

● International standard packages

Typical Applications

● AC motor speed control

● DC servo and robot drives

● DC choppers

● Uninteruptible power supplies UPS

● Switch-mode and resonant-mode power supplies

IXDT30N120中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 300000 mW

击穿电压集电极-发射极 1200 V

额定功率Max 300 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-268-3

外形尺寸

高度 21.46 mm

封装 TO-268-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXDT30N120
型号: IXDT30N120
制造商: IXYS Semiconductor
描述:Trans IGBT Chip N-CH 1200V 60A 300000mW 3Pin3+Tab TO-247AD

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