IXER35N120D1参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXER35N120D1概述

IGBT 1200V 50A 200W TO247

IGBT 1200V 50A 200W Through Hole ISOPLUS247™

得捷:
IGBT 1200V 50A 200W TO247

Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 50A 3-Pin3+Tab ISOPLUS 247

IXER35N120D1中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 1.20 kV

额定电流 50.0 A

极性 NPN

耗散功率 200 W

上升时间 50.0 ns

击穿电压集电极-发射极 1200 V

反向恢复时间 80 ns

额定功率Max 200 W

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 ISOPLUS-247

外形尺寸

封装 ISOPLUS-247

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXER35N120D1

型号： IXER35N120D1

制造商： IXYS Semiconductor

描述：IGBT 1200V 50A 200W TO247