IXGH40N60B2

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IXGH40N60B2概述

Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 3Pin3+Tab TO-247AD

IGBT PT 600 V 75 A 300 W 通孔 TO-247AD


得捷:
IGBT 600V 75A 300W TO247


贸泽:
IGBT Transistors 40 Amps 600V 1.7 V Rds


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 3-Pin3+Tab TO-247AD


IXGH40N60B2中文资料参数规格
技术参数

击穿电压集电极-发射极 600 V

额定功率Max 300 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 16.26 mm

宽度 5.3 mm

高度 21.46 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXGH40N60B2
型号: IXGH40N60B2
制造商: IXYS Semiconductor
描述:Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 3Pin3+Tab TO-247AD
替代型号IXGH40N60B2
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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IXYS Semiconductor

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