IXEH25N120参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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IXEH25N120概述

IGBT 1200V 36A 200W TO247AD

IGBT 1200V 36A 200W Through Hole TO-247AD

得捷:
IGBT 1200V 36A 200W TO247AD

IXEH25N120中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 1200 V

额定功率Max 200 W

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-3-3

外形尺寸

封装 TO-3-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXEH25N120

型号： IXEH25N120

制造商： IXYS Semiconductor

描述：IGBT 1200V 36A 200W TO247AD