IGBT 晶体管 HIGH SPEED IGBT 600V, 40A
IGBT 600V 75A 300W Through Hole TO-247AD IXSH
得捷:
IGBT 600V 75A 300W TO247AD
贸泽:
IGBT 晶体管 HIGH SPEED IGBT 600V, 40A
艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 300000mW 3-Pin3+Tab TO-247AD
Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 3-Pin3+Tab TO-247AD
额定电压DC 600 V
额定电流 75.0 A
耗散功率 300000 mW
上升时间 170 ns
击穿电压集电极-发射极 600 V
额定功率Max 300 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
长度 16.26 mm
宽度 5.3 mm
高度 21.46 mm
封装 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IXSH40N60A IXYS Semiconductor | 当前型号 | 当前型号 |
IXXH50N60B3 IXYS Semiconductor | 类似代替 | IXSH40N60A和IXXH50N60B3的区别 |