IXGA7N60BD1参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXGA7N60BD1概述

Trans IGBT Chip N-CH 600V 14A 3Pin2+Tab TO-263AA

IGBT - 表面贴装型 TO-263（IXGA）

得捷:
IGBT 600V 14A 80W TO263

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 14A 3-Pin2+Tab TO-263AA

IXGA7N60BD1中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 600 V

反向恢复时间 35 ns

额定功率Max 80 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXGA7N60BD1

型号： IXGA7N60BD1

制造商： IXYS Semiconductor

描述：Trans IGBT Chip N-CH 600V 14A 3Pin2+Tab TO-263AA