IXEH25N120D1参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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IXEH25N120D1概述

IGBT 1200V 36A 200W TO247AD

IGBT 1200V 36A 200W Through Hole TO-247AD

得捷:
IGBT 1200V 36A 200W TO247AD

贸泽:
IGBT Transistors 25 Amps 1200V

IXEH25N120D1中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 1200 V

反向恢复时间 130 ns

额定功率Max 200 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-3-3

外形尺寸

长度 16.26 mm

宽度 5.3 mm

高度 21.46 mm

封装 TO-3-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXEH25N120D1

型号： IXEH25N120D1

制造商： IXYS Semiconductor

描述：IGBT 1200V 36A 200W TO247AD