IXGH35N120B

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IXGH35N120B概述

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 70A 300000mW 3Pin3+Tab TO-247AD

IGBT PT 通孔 TO-247AD(IXGH)


得捷:
IGBT 1200V 70A 300W TO247


贸泽:
IGBT Transistors 70 Amps 1200V 3.3 Rds


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 70A 3-Pin3+Tab TO-247AD


Online Components:
Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 70A 3-Pin3+Tab TO-247AD


IXGH35N120B中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 300000 mW

击穿电压集电极-发射极 1200 V

额定功率Max 300 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 16.26 mm

宽度 5.3 mm

高度 21.46 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXGH35N120B
型号: IXGH35N120B
制造商: IXYS Semiconductor
描述:Trans IGBT Chip N-CH 1200V 70A 300000mW 3Pin3+Tab TO-247AD
替代型号IXGH35N120B
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

IXGH35N120B

IXYS Semiconductor

当前型号

当前型号

IXYH30N120C3

IXYS Semiconductor

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