IXGP12N60C参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXGP12N60C概述

IGBT 晶体管 20 Amps 600V 2.7 Rds

IGBT - 通孔 TO-220AB

得捷:
IGBT 600V 24A 100W TO220

贸泽:
IGBT 晶体管 20 Amps 600V 2.7 Rds

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 24A 3-Pin3+Tab TO-220AB

IXGP12N60C中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 600 V

额定功率Max 100 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.66 mm

宽度 4.82 mm

高度 9.15 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXGP12N60C

型号： IXGP12N60C

制造商： IXYS Semiconductor

描述：IGBT 晶体管 20 Amps 600V 2.7 Rds

替代型号IXGP12N60C

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
IXGP12N60C IXYS Semiconductor	当前型号	当前型号
IXYP20N120C3 IXYS Semiconductor	类似代替	IXGP12N60C和IXYP20N120C3的区别

型号/品牌

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替代型号对比

IXGP12N60C

IXYS Semiconductor

当前型号

IXYP20N120C3

IXYS Semiconductor

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