IXGK60N60C2D1参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXGK60N60C2D1概述

IGBT 晶体管 60 Amps 600V 2.5 V Rds

IGBT PT 600V 75A 480W Through Hole

得捷:
IGBT 600V 75A 480W TO264

贸泽:
IGBT 晶体管 60 Amps 600V 2.5 V Rds

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 480000mW 3-Pin3+Tab TO-264AA

IXGK60N60C2D1中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 480000 mW

击穿电压集电极-发射极 600 V

反向恢复时间 35 ns

额定功率Max 480 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 480000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-264-3

外形尺寸

长度 19.96 mm

宽度 5.13 mm

高度 26.16 mm

封装 TO-264-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXGK60N60C2D1

型号： IXGK60N60C2D1

制造商： IXYS Semiconductor

描述：IGBT 晶体管 60 Amps 600V 2.5 V Rds