IXSA20N60B2D1

IXSA20N60B2D1图片1
IXSA20N60B2D1图片2
IXSA20N60B2D1图片3
IXSA20N60B2D1图片4
IXSA20N60B2D1图片5
IXSA20N60B2D1概述

Trans IGBT Chip N-CH 600V 35A 3Pin3+Tab TO-220AB

Trans IGBT Chip N-CH 600V 35A 3-Pin3+Tab TO-220AB


得捷:
IGBT 600V 35A 190W TO263


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 35A 3-Pin3+Tab TO-220AB


Online Components:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 35A 3-Pin3+Tab TO-220AB


IXSA20N60B2D1中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 600 V

额定电流 35.0 A

上升时间 30.0 ns

击穿电压集电极-发射极 600 V

反向恢复时间 30 ns

额定功率Max 190 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXSA20N60B2D1
型号: IXSA20N60B2D1
制造商: IXYS Semiconductor
描述:Trans IGBT Chip N-CH 600V 35A 3Pin3+Tab TO-220AB
替代型号IXSA20N60B2D1
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

IXSA20N60B2D1

IXYS Semiconductor

当前型号

当前型号

IXXH30N60B3D1

IXYS Semiconductor

功能相似

IXSA20N60B2D1和IXXH30N60B3D1的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台