IXGH30N60C2D1参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXGH30N60C2D1概述

Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 190000mW 3Pin3+Tab TO-247AD

C2-Class High Speed IGBTs

Features

Very high frequency IGBT

Square RBSOA

High current handling capability

MOS Gate turn-on

\- drive simplicity

得捷:
IGBT 600V 70A 190W TO247

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 190000mW 3-Pin3+Tab TO-247AD

Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 190000mW 3-Pin3+Tab TO-247AD

Win Source:
HiPerFAST IGBT with Diode | IGBT 600V 70A 190W TO247

IXGH30N60C2D1中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 600 V

反向恢复时间 25 ns

额定功率Max 190 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 190000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXGH30N60C2D1

型号： IXGH30N60C2D1

制造商： IXYS Semiconductor

描述：Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 190000mW 3Pin3+Tab TO-247AD

替代型号IXGH30N60C2D1