IXGP12N60CD1

IXGP12N60CD1图片1
IXGP12N60CD1图片2
IXGP12N60CD1图片3
IXGP12N60CD1图片4
IXGP12N60CD1概述

Trans IGBT Chip N-CH 600V 24A 100000mW 3Pin3+Tab TO-220AB

IGBT - 600 V 24 A 100 W 通孔 TO-220-3


得捷:
IGBT 600V 24A 100W TO220


贸泽:
IGBT Transistors 24 Amps 600V 2.7 Rds


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 24A 100000mW 3-Pin3+Tab TO-220AB


Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 24A 3-Pin3+Tab TO-220AB


Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 24A 3-Pin3+Tab TO-220AB


Win Source:
IGBT 600V 24A 100W TO220


IXGP12N60CD1中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 100000 mW

击穿电压集电极-发射极 600 V

反向恢复时间 35 ns

额定功率Max 100 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 100000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.66 mm

宽度 4.83 mm

高度 9.15 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXGP12N60CD1
型号: IXGP12N60CD1
制造商: IXYS Semiconductor
描述:Trans IGBT Chip N-CH 600V 24A 100000mW 3Pin3+Tab TO-220AB
替代型号IXGP12N60CD1
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

IXGP12N60CD1

IXYS Semiconductor

当前型号

当前型号

SGP23N60UFTU

飞兆/仙童

功能相似

IXGP12N60CD1和SGP23N60UFTU的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台