IXGC16N60B2参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXGC16N60B2概述

Trans IGBT Chip N-CH 600V 28A 63000mW 3Pin3+Tab ISOPLUS 220

IGBT PT 通孔 ISOPLUS220™

得捷:
IGBT 600V 28A 63W ISOPLUS220

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 28A 3-Pin3+Tab ISOPLUS 220

IXGC16N60B2中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 63000 mW

击穿电压集电极-发射极 600 V

额定功率Max 63 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 63000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 ISOPLUS-220

外形尺寸

高度 16 mm

封装 ISOPLUS-220

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXGC16N60B2

型号： IXGC16N60B2

制造商： IXYS Semiconductor

描述：Trans IGBT Chip N-CH 600V 28A 63000mW 3Pin3+Tab ISOPLUS 220