Trans IGBT Chip N-CH 600V 35A 3Pin3+Tab TO-247
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得捷:
IGBT 600V 35A 190W TO247
贸泽:
IGBT Transistors 20 Amps 600V 2.5 Rds
艾睿:
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Online Components:
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Win Source:
IGBT 600V 35A 190W TO247
额定电压DC 600 V
额定电流 35.0 A
耗散功率 190 W
上升时间 30.0 ns
击穿电压集电极-发射极 600 V
反向恢复时间 30 ns
额定功率Max 190 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 190 W
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
长度 16.26 mm
宽度 5.3 mm
高度 21.46 mm
封装 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IXSH20N60B2D1 IXYS Semiconductor | 当前型号 | 当前型号 |
IXXH30N60B3D1 IXYS Semiconductor | 类似代替 | IXSH20N60B2D1和IXXH30N60B3D1的区别 |